Si&InGaAs၊PIN&APD၊လှိုင်းအလျား:400-1100nm၊900-1700nm။(လေဆာအဆင့်၊ အမြန်နှုန်းတိုင်းတာမှု၊ ထောင့်တိုင်းတာမှု၊ photoelectric detection နှင့် photoelectric တန်ပြန်တိုင်းတာမှုစနစ်များအတွက် သင့်လျော်သည်။)
InGaAs ပစ္စည်း၏ ရောင်စဉ်တန်းအကွာအဝေးသည် 900-1700nm ဖြစ်ပြီး၊ ပွားမှုဆူညံမှုသည် ဂျာမနီယမ်ပစ္စည်းထက် နိမ့်သည်။ ယေဘူယျအားဖြင့် heterostructure diodes အတွက် များပြားသော ဒေသအဖြစ် အသုံးပြုသည်။ ပစ္စည်းသည် မြန်နှုန်းမြင့် optical fiber ဆက်သွယ်ရေးအတွက် သင့်လျော်ပြီး စီးပွားဖြစ်ထုတ်ကုန်များသည် 10Gbit/s သို့မဟုတ် ထို့ထက်ပိုသော အမြန်နှုန်းသို့ ရောက်ရှိနေပါသည်။